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Effizientes Breitband-Netzwerkmodell zur Simulation von Spannungsversorgungsstrukturen auf Leiterplatten

机译:用于模拟印刷电路板电源结构的高效宽带网络模型

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摘要

Das Hochfrequenzverhalten planparalleler Plattenstrukturen, wie sie in mehrlagigen Platinen (PCB) fur Spannungsversorgungslagen Verwendung finden, ist fur die EMV des Gesamtsystems haufig von entscheidender Bedeutung. Aufgrund der schnellen, transienten Versorgungstrome, die durch Schaltvorgange digitaler Komponenten entstehen, werden die strukturellen Resonanzen der Plattenpaare angeregt, was eine Verschlechterung der Signalintegritat und die verstarkte Abstrahlung der Struktur hervorruft [1]. Ahnliche Effekte treten zwischen den Versorgungslagen von Motherboard- Subboard-Strukturen [2], PCB Masseebenen und Gehause oder zwischen Kuhlkorpern und Masse auf. Zur Analyse des elektromagnetischen Verhaltens solcher planparallelen Strukturen wurde neben der direkten Feldsimulation mit verschiedenen Methoden (FEM, FD, FIT, MOM…) [4]-[7] ein analytischer Ansatz zur Losung der zugrunde liegende 2D Helmholtz-Gleichung entwickelt, basierend auf einem Hohlraummodell mit ideal magnetisch leitenden Seitenwanden. Dieses Hohlraummodell wurde mehrmals durch Impedanzmessung uber einen grossen Frequenzbereich validiert [3],[11]. Die analytische Losung der Helmholtz-Gleichung kann fur elementare Plattengeometrien durch einen Spiegelungsansatz [8] oder eine Orthogonalreihentwicklung [9] berechnet werden, fuhrt aber zu einer schlecht konvergierenden Summe, die fur eine breitbandige Analyse ungeeignet ist. Um das Konvergenzverhalten zu verbessern, wurden diverse Impedanzformulierungen entwickelt ([10], [11], [13]), die aber nicht als Ersatzschaltbild interpretierbar sind, keine hinreichende Beschleunigung bieten oder nicht auf beliebige Geometrien anwendbar sind.
机译:平面平行的磁盘结构的高频性能,如在多层电路板(PCB),用于电源层使用,通常是整个系统的EMC至关重要。由于快速,引起通过切换数字分量的发生瞬时供给托盘,板对结构共振激发,使信号积分的劣化和结构[1]的放大器的辐射。主板扣板结构[2],PCB质量平面和住房供应层之间或库尔拐角和质量之间发生类似的效果。对于这样的平行平面结构的电磁行为的分析中,分析方法对基础2D亥姆霍兹方程的解除直接场模拟被开发(FEM,FD,MOM ......)[4] - [ 7],基于与理想磁性导电侧一个空腔模型。该空腔模型已在大的频率范围[3],[11]通过验证阻抗测量数次。亥姆霍兹方程的解析解,可以计算由反射镜的方法[8]或正交行的开发[9]元素板的几何形状,但通向不适合于宽带分析不良会聚量。为了改善收敛特性,各种阻抗制剂已被开发([10],[11],[13]),但其不是解释作为替代电路,不提供足够的加速或并不适用于任何的几何形状。

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