机译:用于InAlN / GaN-on-Si HEMT的低热预算Hf / Al / Ta欧姆接触,具有更高的击穿电压
机译:具有再生欧姆接触和370 GHz的InAlN / AlN / GaN HEMT
机译:肖特基势垒,通常为GaN / InAlN / AlN / GaN HEMT,具有选择性蚀刻的访问区
机译:用于InAlN / GaN HEMT的肖特基和欧姆接触金属化的多层防扩散势垒方案
机译:用于AlGaN / GaN和InAlN / GaN二极管以及在硅(111)衬底上生长的高迁移率晶体管的CMOS兼容氧化钌肖特基接触的研究。
机译:AlGaN / GaN HEMT的优化Ti / Al / Ta / Au欧姆接触的电学表征和纳米级表面形貌
机译:基于Ta基欧姆接触和PECVD SiN钝化的InAlN / AlN / GaN HEMT的评估
机译:欧姆接触电阻对alN / GaN HEmT结构阻挡层厚度的依赖性