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数値制御プラズマ CVM における高精度·高能率化に関する研究(第2報)減圧 PCVM の走査加工時における加工量制御性の向上

机译:测量扫描处理时数控等离子体CVM(第2次报告)高精度和高效率的研究扫描处理时的处理量可控性

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摘要

次世代のリソグラフィー技術として期待されているEUVリソグラフィー用のフォトマスクには 25nm 以下の平坦度が求められている.要求される平坦度をラッピングとポリシングのみで達成することは困難であり,なhらかの修正加工が必要である.従来の機械的な手法による修正加工は工具と加工対象物間の相対運動が加工対象物へと転写されるという母性原理に基づいている.したがって,熱や振動などの外乱の影響によって工具と加工対象物の接触状況が変化し,加工特性が変化するため,要求される平坦度を得ることは困難である.そこで,プラズマを用いた非接触加工が注目されている.数値制御プラズマ CVM(NC-PCVM)はプラズマ中で生成した反応活性種と加工物表面問の化学反応を利用した超精密形状創成法である.従来法である大気圧プラズマCVM Atmospheric Pressure PCVM:AP-PCVM)には主として 2 つの課題が存在する.1 つ目は加工レートが小さいことである.我々は合成石英ガラス基板の平坦度を向上させることを目的としているが,現状では 150mm 角程度の大きさの基板を平坦化する際に 2 時間程度要しており,加工の高能率化が求められている.2 つ目は基板端部を加工する際に,アース側である試料台が露出した部分でアーク放電が発生し,安定したグロー放電を維持できないことである.基板中央部と端部で加工特性が異なることで,基板端部の加工精度が悪化してしまう.さらに,アーク放電が発生した部分では基板にダメージが導入されてしまう.加工の高精度化を達成するためには,基板端部においても基板中央部と同様の安定したグロー放電を発生させることが要求される.そこで我々は 1/10 気圧前後の減圧雰囲気下で局在的なプラズマを発生させて加工を行う,減圧プラズマ CVM(Vacuum-PCVM: V-PCVM)を提案した.減圧プラズマは大気圧プラズマと比較して加工能率が高く,安定したグロー放電を維持しやすいというメリットがある一方,ステージを高速で走査させた際に電極位置とプラズマ発生位置にずれが生じるという現象が確認されている.本報では上記のずれが加工精度に与える影響を定量的に評価した結果を報告する.
机译:EUV光刻需要平坦度为25nm或更小的预期作为下一代光刻技术的光掩模。只有包裹和警示难以实现所需的平坦度,并且有必要修复H-R。传统的机械方法校正处理基于母体原理,即工具和处理目标之间的相对运动被传送到要处理的物体上。因此,由于诸如热或振动的扰动的影响,工具的接触状态和待处理的物体变化,并且由于加工特性变化,因此难以获得所需的平坦度。因此,使用等离子体的非接触式处理引起了注意力。数值控制等离子体CVM(NC-PCVM)是使用等离子体中产生的反应活性物质的化学反应和表面问题的超精密形状产生方法。大气压等离子体CVM大气压PCVM:AP-PCVM有两个主要问题,即常规方法。首先是处理速率很小。我们旨在改善合成石英玻璃基板的平坦度,但目前需要施加尺寸为约150mm平方至约2小时的基材,并且需要高效率。它是。其次是,当处理基板端时,电弧放电发生在样品表,即地面侧,并且不能保持稳定的辉光放电。基板端部的处理精度通过基板中心和端部的不同处理特性而劣化。此外,在发生电弧放电的部分中,将损坏引入基板中。为了实现高精度的加工,即使在基板端部处也需要产生类似于基板的中心的稳定辉光放电。因此,我们提出了减压等离子体CVM(真空-CCVM)CVM(VACUM-PCVM:V-PCVM),在1/10大气压之前和之后在真空气氛下产生局部等离子体。减压等离子体的优点是,与大气压等离子体相比,加工效率高,并且容易保持稳定的辉光放电,而电极位置和等离子体产生位置在高速扫描时发生的现象。确认。在本报告中,我们报告了定量评估了上述偏差对处理精度的影响的结果。

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