グリーンデバイス用結晶基板の加工プロセス技術の研究開発（第12報）－スマートポリシング·システムの構築（総集）

摘要

SiC、GaN、サファイアをはじめとする機能性材料は、非常に優れた半導体素子性能指数を示すことから次世代グリーンデバイス用基板として期待されている。それは、LED照明や半導体レーザダイオード、さらには次世代電子デバイスなどへの実用化を進めることで二酸化炭素の排出量や消費電力を大きく削減でき環境·エネルギー問題に大きく貢献できるからである。そして、高性能パワーデバイスを実現するためには、ダメージフリーでかつ原子レベルでの平滑な表面が求められ、表面の機械的·電気的特性を損ねる可能性のある厄介な加工変質層·潜傷を抑制することは生産加工技術にとって重要なテーマとなる。しかしダイヤモンド砥粒を使う難加工材料基板の機械加工は、必然的にスクラッチや加工変質層が生成されてしまい、エピタキシャル成長用基板に要求される表面品位を得るには、後工程で膨大な加工時間を掛けなければならない問題を抱えている。