還元グラフェンシートを援用した Ge 表面の選択エッチングの機構解明：水中の溶存酸素がエッチング速度に与える影響

机译：阐明石墨烯片的Ge表面选择蚀刻机理：溶解氧对水中蚀刻速率的影响

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金属アシストエッチングは，半導体に対する表面加工法の一種であり，簡便·低コストの手法として注目されている．代表的な系として，Si表面に貴金属触媒を堆積させ，HFとH_2O_2 の混合溶液に浸漬させることにより，貴金属直下のSiのみが選択的にエッチングされる現象が挙げられる．本手法はSiだけでなく，他の様々な半導体材料に適用でき，ナノレベルの表面加工を実現できる．

机译：金属辅助蚀刻是半导体的表面处理，并作为一种简单而低成本的方法引起关注。作为典型的系统，将贵金属催化剂沉积在Si表面上，并浸入HF和H_2O_2的混合溶液中，是一种现象，其中仅选择性地蚀刻贵金属下方的Si。该方法不仅可以应用于Si，还可以应用于各种其他半导体材料，并且可以实现纳米水平表面处理。

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来源
《精密工学会大会学術講演会》|2017年|1(CD-ROM)|共2页
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平野智暉; 中出和希; 李韶賢; 森田瑞穂; 川合健太郎; 有馬健太;
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中图分类 TG5-53;
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