フュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜CMP工程でのスラリー粗大砥粒とマイクロスクラッチの関係～CMP加工条件の影響調査とスクラッチの定量的評価方法確立について

摘要

本研究では，まずフュームドシリカスラリーによる層間絶縁膜(SiO_2 膜)CMP 工程でのマイクロスクラッチに着目している．スクラッチ発生要因の一つとして，スラリー中の粗大凝集砥粒が考えられており，その大きさや個数はスラリー原料物性·調整条件で変化すると考えられる．そこでスラリー原料物性·調整条件と粗大凝集砥粒数·CMP 加工特性(スクラッチ数や加工レート)との相関関係を定量的に評価し，スクラッチ低減技術の確立を目標としている．本報告ではその研究の一環として，評価項目であるスクラッチ数評価を，ウエハ内の代表領域のレーザ顕微鏡観察（微分干渉観察）で可能であるか検討したので以下報告する．