Modeling of advanced memories

机译：高级记忆建模

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Results of modeling of advanced memories, such as one-transistor/no capacitor random access memory (Z-RAM), Resistive RAM (RRAM), and Spin Transfer Torque Magnetic RAM (STTRAM), are presented.

机译：提出了先进存储器的建模结果，例如单晶体管/无电容器随机存取存储器（Z-RAM），电阻RAM（RRAM）和旋转转移扭矩磁力RAM（STTRAM）。

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来源
《IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits》|2011年||共2页
会议地点
作者
Makarov A.; Selberherr S.; Sverdlov V.;
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正文语种
中图分类 TN4-53;
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