机译:在无阶梯4H-SiC台面衬底上生产的3C-SiC和2H-AlN / GaN膜及器件的生长和表征
机译:在无级和无级4H-SiC台面上生长的III型氮化物薄膜中的应力释放和位错运动
机译:降低在无台阶(0001)4H-SiC台面表面上生长的均匀GaN层中的位错密度
机译:4H-SiC无台阶台阶型衬底上MOCVD GaN / AlN薄膜中的位错形核和生长
机译:晶格匹配InxAl 1-xN与GaN的Vegard定律的验证以及用于深紫外LED的AlxGa1-xN / AlN的MOCVD生长
机译:蓝宝石衬底上具有纳米尺度厚AlN成核层的高质量无裂纹AlN薄膜的异质外延生长用于基于AlGaN的深紫外发光二极管
机译:在轴上蓝宝石衬底上的N极性GaN的mOCVD生长:alN的影响 GaN表面小丘密度上的成核层