Double and Single-Gate HEMT; Channel thickness; DIBL; Potential;
机译:通道中温度和铟成分对单门和双门InAlAs / InGaAs HEMT微波性能的影响
机译:通道厚度变化可增强双门和单门HEMT的微波性能
机译:渐逝模式分析中的新改性,结合了亚阈值非对称双栅FET亚阈值模型中的亚1nm等效氧化物厚度
机译:具有单栅极HEMT的亚100nm双栅极对沟道厚度变化的比较亚阈值分析
机译:分析参数变化对低于100 nm CMOS存储单元中单事件响应的影响。
机译:通过原子层沉积对聚碳酸酯蚀刻离子通道的直径小于100 nm的通道进行共形SiO2涂层
机译:单栅和双栅极石墨烯纳米效应晶体管的短频道效应分析
机译:单门mEsFET倍频器