机译:低充电电压下ESD-Gun空气放电的放电电流上升时间估计
机译:在低泄漏电流的低压CMOS工艺中,两个ESD检测电路可提供3倍VDD耐压的I / O缓冲器
机译:长气隙中不同上升时间的正电压脉冲下前导放电通道的动态膨胀:实验观察与仿真结果
机译:使用12GHz实验系统的低电压ESD电压上升时间和电流上升时间的时域测量
机译:上升时间为50 ns的施加方波脉冲电压的局部放电测量技术
机译:最小二乘支持向量机方法和时频表示优化的自抗干扰控制在电压源变换器-高压直流系统中的应用
机译:NbN超导单光子中电压脉冲的上升时间 探测器