efficiency droop; light emitting diode; InGaN quantum well; In-rich quntum disk; radiative recombination; carrier lifetime;
机译:基于InGaN的发光二极管中效率下降的解释:随机分布的富裕有源区的饱和辐射复合速率
机译:勘误表:基于InGaN的发光二极管中的效率下降的解释:随机分布的富裕有源区域的饱和辐射复合速率
机译:在不同温度和注入电流下评估基于InGaN的发光二极管的辐射复合效率
机译:饱和辐射重组率的效率下垂模型在基于IngaN的发光二极管中辐射和非辐射载体寿命估算的验证
机译:iii-v氮化物基发光二极管的峰值辐射效率和电子漂移引起的效率下降。
机译:理解基于InGaN的发光二极管效率下降的实验方法综述
机译:具有V形凹坑的InGaN / GaN发光二极管的载流子传输和辐射效率的三维数值模拟