コバルトと鉄の積層膜を触媒とした熱フィラメントCVD法によるカーボンナノチューブの低温成長の試み

摘要

近年、SWCNTsの低温成長が重要視されている。例えばシリコンによるLSI構造の許容プロセス温度は450°C前後であるため、LSIへ応用するには400°C以下で成長させる必要がある。従来、CNT成長の触媒として用いられてきた金属はコバルト（Co）、鉄（Fe）、ニッケル岬i）などである。これらは炭素の溶解度が高いという特長を持っている。当研究室では、350°CにおいてCoとNiの積層触媒を用いた場合、Co単体よりもSWCNTsの収量が多くなると明かした1）。この結果より、同じく炭素の溶解度の高いFe/Co積層膜を組み合わせても同様の効果が得られるのではないかと考え、Feを用いてのSWCNTsの400°C以下での低温成長を試みた。