首页> 外文会议>表面技術協会講演大会 >シリコン集積回路向けデバイス技術の動向--AI,IoTの進展に向け
【24h】

シリコン集積回路向けデバイス技術の動向--AI,IoTの進展に向け

机译:硅集成电路的设备技术趋势 - 朝向AI,IOT的进展

获取原文

摘要

昨今、テレビ、新聞でもAI(Artificial Interlligence)とIoT(Intemet of Things)関連の話題を毎日の様に耳にする。AI,IoTを支えるコア技術の一つは、シリコン集積回路である。本稿では、シリコン集積回路のデバイス(CMOS-FET)を専門としてきた筆者の立場で、AI,IoTの今後の進展に向けたデバイス技術を概観する。また、筆者達が最近提案しているCMOSF-FETの理論限界を超える急峻な立上り特性を示すIoT Edge向け極低電力デバイスを紹介する。
机译:如今,电视和报纸还赚取与AI(人工Interllligurigence)和IOT(Intemet)相关的每日主题。支持AI和IOT的核心技术之一是硅集成电路。在本文中,我们将概述AI,IOT的未来发展的设备技术,以AI和IOT的未来发展的位置,这已专业从事硅集成电路的装置(CMOS-FET) 。此外,我们介绍了一个IOT边缘友好的低功耗器件,表示提出了作者最近提出的CMOSF-FET的理论极限的尖锐上升特性。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号