シリコン上に形成した金属ナノロッドの形状と無電解めっき膜の密着性

摘要

シリコン（Si）上への金属膜形成はLSIなどのnmサイズの配線から太陽電池などのmm、dmサイズの電極まで幅広く利用されている。無電解めっきは、非導電性基板に均一に成膜できる、量産性に優れるなどの特徴を持っているが、Si上に密着性の良い薄膜を直接形成する事が難しい。我々は、3段階の溶液に浸すだけのウェットプロセスによりSi中に形成した金属ナノロッドをアンカーとすることで、熱処理や中間層などを用いずに、高密着性の無電解めっき膜をSi上に形成できる事を報告した1）。本研究では、金属ナノロッドの形状、特に長さが密着性に与える効果について検討した。