金属ナノ粒子を触媒としてシリコン上に形成した無電解めっき膜のコンタクト抵抗

摘要

これまでに、金属ナノ粒子を触媒としてシリコン上に密着性の良い無電解Ni－Pめっき膜を形成するプロセスを報告した。これを太陽電池などの電極形成に採用するためには、シリコンとめつき膜間のコンタクト抵抗を低く謝御することが重要である。本研究では、TLM法（Transfer length method）にてコンタクト抵抗率の測定を試みた。