TVホログラフィー干渉法によるめっき初期析出過程の内部応力のその場測定

摘要

エレクトロニクスやMEMSの製造に応用されているめっき技術の微細化と高機能化は著しく発展し、より高い信頼性が要求されるようになっている。その中で、めっき膜の初期析出過程における内部応力挙動とその起仮について理解し、それを制御することは信頼性向上のために重要である。TVホログラフィー干渉法はレーザー光を用いてめっき膜の析出中に発生した内部応力による基板の微小なたわみを高感度でその場測定できる手法である。我々は同法を用いてシリコン基板上の無電解銅めっき初期析出過程の応力挙動を調べ、膜成長に伴う構造変化との関係を報告している。本研究では、TVホログラフィ十干渉法により種々の電析膜について析出条件による内部応力挙動の変化を調べた。