電気銅めっき膜の比抵抗値に及ぼす炭素含有不純物の影響

摘要

大規模集積回路の銅配線形成には電気銅めっきが用いられており，添加剤により析出形状を制御する事でトレンチの完全な埋め込みを実現している。電気銅めっき膜の成膜の際に，特定の添加剤の組み合わせを用いると，室温における再結晶“セルフアニーリングが起こる事が知られている．この現象は塩化物イオン（Cl~-），ポリエチレングリコール（PEG), ビス（3－スルホプロピノりジスルフィド（SPS）を組み合わせた場合に発現し，膜の比抵抗や結晶構造などが成膜後の時間経過に伴い，著しく変化する．このような特性変化は，めっき膜の微細構造剖莫中に混入した添加剤の影響により発現するものと予想される。