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1.8V POWER SUPPLY 16MBIT-MRAM WITH 40 ARRAY EFFICIENCY

机译：1.8V电源16Mbit-MRAM，阵列效率为40％

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MRAM is the most promising candidate for a non-volatile random access memory because of its unlimited endurance which other non-volatile memories lack. Excellent works have proved the validity of MRAM [1]. Next, competitiveness against existing memories should be added. Low voltage operation and reasonable array efficiency are the next items to be added. In this paper, technologies for low voltage operation and reasonable array efficiency were developed and successfully demonstrated.

机译：MRAM是非易失性随机存取记忆中最有希望的候选者，因为其其他非易失性的回忆缺乏。优秀的作品已经证明了MRAM [1]的有效性。接下来，应补充对现有记忆的竞争力。低压操作和合理的阵列效率是要添加的下一个项目。在本文中，开发并成功地开发了低电压操作和合理阵列效率的技术。

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来源
《Intermag Conference 》|2006年||共1页
会议地点
作者
H. Yoda; T. Kai; Y. Iwata; S. Ikegawa; K. Tsuchida; Y. Asao; T. Kishi;
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正文语种
中图分类 O441.2-53;
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