机译:铜金属化方案离子注入对表面改性多孔甲基倍半硅氧烷的界面稳定性的初步评估
机译:使用低k MSQ电介质在铜金属镶嵌工艺上堆积的剥离现象
机译:使用Low-K MSQ电介质堆叠在Cu - 镶嵌过程中的剥离现象
机译:铜金属化方案中通过离子注入对铜/ MSQ / Si堆的零厚度势垒要求进行表面改性的多孔低k的第一遍研究
机译:铜/多孔低k互连中多孔低k的泄漏电流行为和传导机理的研究:外在因素的影响。
机译:充氮多孔低k SiOCH / Mn2O3-xN / Cu集成体的电学特性和可靠性
机译:Cu /多孔超低k互连技术中的介质/金属扩散屏障
机译:al / Cu sub 2 O的热电偶混合物的表面研究。铝和氧化铝在铝上的厚度测量及铜化学变化