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IMPACT OF HYDROSTATIC PRESSURE DURING ANNEALING OF Si:O ON CREATION OF SIMOX - LIKE STRUCTURES

机译:Si的退火期间静压压力的影响:o创造Simox样结构

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摘要

The new and earlier reported results on the effect of hydrostatic pressure (HP, up to 1.23 GPa) and annealing at ≤ 1570 K of oxygen implanted silicon (Si:O) are discussed. HP affects the misfit at the SiO_x/Si boundary, solubility and diffusivity of oxygen, the number and dimensions of SiO_x precipitates.
机译:讨论了新的和更早的报告结果讨论了静水压力(HP,高达1.23GPa)和退火的氧气注入硅(Si:O)的效果。 HP影响SiO_X / Si边界,溶解性和氧气扩散性的错配,SiO_x沉淀物的数量和尺寸。

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