AlN; GaN; time-resolved PL; optical transitions; UV light emitters; high temperature; carrier dynamics; ultrafast;
机译:不同载流子浓度的GaN外延层的太赫兹载流子动力学和介电特性
机译:低温AlN中间层对MO(CVD)在Si(111)上GaN外延层生长的影响
机译:初始生长阶段Ⅴ/Ⅲ比对沉积在低温AlN缓冲层上的GaN外延层性能的影响
机译:高温下AlN和GaN外延层中的载流子动力学
机译:高温下的磁化动力学。
机译:在不同温度下通过脉冲激光沉积在AlN / Si异质结构上外延生长的GaN薄膜的微观结构和生长机理
机译:mOCVD生长InGaN弹性体和InGaN / GaN量子阱中异常温度相关发射偏移的载流子动力学