GI-SAXS測定パターンのシミュレーションによるInAsナノドットのファセット形状考察

摘要

量子閉じ込め効果をもつナノドットは新しいデバイス材料として期待されている。ナノドットの量子的特性制御のためにはサイズ，形状，密度，配列などのパラメータを評価することが必要不可欠である。本研究では、InAsナノドットのファセット面方位に関するさまざまな説を基にシミュレーションを行い、GI－SAXS測定パターンと比較を行うことによりInAsナノドットの形状を評価した。