(166-0062)アクリロニトリル中で金属基板上に堆積した窒化炭素膜の組成評価

摘要

大規模集積回路（ULSI）の金属配線間の誘電体膜の寄生容量は，信号遅延や電力消費などに影響を及ぼすため，低誘電率薄膜の開発が望まれている．低誘電率を示す材料として，窒化炭素（CNx）やナノダイヤモンド等が報告されている[1,2]．一般的に，CNxは気相堆積法により成膜される．一方，本研究グループでは液相堆積法の適用を試みており，Si基板にCNx膜を形成して誘電率等について評価を行った[3]．そこで今回は種類の異なる金属基板上への成膜を試みた結果について報告する．