(422-P030)Si単結晶における亀裂先端近傍のHVEM-トモグラフィ観察と転位発生プロセス

机译：（422-P030）SI单晶裂纹尖端附近的HVEM层面观察和位错发电过程

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Siの破壊靭性値はある温度で急峻に増加し明瞭な脆性一延性遷移を示す．この破壊靭性値の上昇は亀裂先端での転位増殖による応力集中緩和によるものであり，亀裂先端近傍に発生した転位群の構造に支配されている·そこで本研究では，亀裂先端近傍における転位構造を超高圧電子顕微鏡（HVEM）を用いた電子線トモグラフ法で三次元可視化し，得られた再構成像を用い転位による局部応力拡大係数k_Pを転位遮蔽理論に基づき求めた．そして，その結果から転位の発生プロセスを解明することを本研究の目的とする．

机译：在一定温度下，Si的断裂韧性值急剧增加，以表示明显的脆性完整性转变。裂缝韧性值的增加是由于裂缝尖端位错生长引起的应力集中弛豫，并且由裂缝尖端附近发生的位错组的结构来控制，因此，在本研究中，位错结构通过使用超高压电子显微镜（HVEM）的电子束断层扫描的裂缝尖端附近是通过超高压电子显微镜（HVEM）的三维可视化，并且基于位错屏蔽确定使用所获得的重构图像的局部应力膨胀系数K_P理论。然后，本研究的目的是阐明脱位的生成过程。

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来源
《日本金属学会大会》|2011年||共1页
会议地点
作者
井上誠介; 中村拓人; 定松直;
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正文语种
中图分类 TF146-532;
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