机译:消除应力松弛纳米多孔GaN模板中的螺纹位错以实现高质量GaN生长
机译:减少应变松弛纳米多孔GaN模板上生长的GaN中的螺纹位错密度
机译:金属有机化学气相沉积法在具有多个Mg_xN_y / GaN缓冲层的GaN中进行位错ni没
机译:在电化学蚀刻纳米多孔GaN模板上进行再生GaN的线程脱位,优化缓冲层生长
机译:通过电化学蚀刻对下一代器件进行GaN的纳米级处理。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:GaN癫痫术中的Ultralow穿线脱位密度在近乎应急的GaN符合缓冲层及其在杂外延LED中的应用