机译:界面陷阱和边界陷阱对InGaAs MOSFET中电流-电压,电容-电压和Split-CV迁移率测量的影响
机译:基于同时超快$ I_ {d} $ – $ V_ {g} $和$ C_ {rm cg} $ – $ V_ {g} $测量MOSFET的新迁移率提取技术
机译:MOSFET中有效迁移率测量的分析校正
机译:MOSFET迁移率的非通用滚降和V / sub DS /对迁移率测量的影响
机译:气体中带电纳米滴的离子迁移率质谱测量和电迁移率建模:电迁移率,大小和电荷之间的关系,以及离子诱导的偶极相互作用的影响。
机译:GE N沟道MOSFET具有ZrO2电介质实现改进的移动性
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响