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An all-epitaxiai vertical-cavity bistable device at 1.55 /spl mu/m

机译：一个全外延垂直腔体如1.55 / SPL MU / M的垂直腔体

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《Summaries of Papers Presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics》|2001年||共2页
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作者
Debray J-P.; Lugagne-Delpon E.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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作者单位

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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
关键词

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