机译:应对高k栅极电介质和金属栅极的未来挑战
机译:开发下一代CMOS中的金属栅极和高k电介质的系统方法
机译:通过对高K栅极电介质进行原子层蚀刻来改善金属栅极/高K电介质CMOSFET的特性
机译:高性能块状平面20nm替代栅极high-k金属栅极技术的内在电介质堆叠可靠性以及与28nm栅极首次高k金属栅极工艺的比较
机译:快速热CVD高k栅极电介质和CVD金属栅电极的技术开发和研究,用于未来的ULSI MOSFET器件集成:氧化锆和氧化ha。
机译:使用氧化锆纳米线作为高k栅极电介质的高性能顶门石墨烯纳米晶体管
机译:集成了高k介电层和金属栅极的新型III-V MOSFET,适用于未来的CMOS技术