純鉄中の各種格子欠陥にトラップされた水素の室温および低温からの昇温脱離プロファイル比較

摘要

純鉄に水素添加しながら塑性変形を付与すると、水素添加せずに同一ひずみを付与した場合に比べ、空孔および空孔クラスターの形成が促進されることを報告した1）。また、純鉄において、昇温脱離分析（TDA）で得られたトレーサー水素量の差分（［水素＋ひずみ］材－［ひずみ］材のトレーサー水素量）から水素ひずみ誘起格子欠陥量を算出し、ある限られた条件における水素ひずみ誘起格子欠陥形成促進を報告した2）。しかし、TDAでは複数種の格子欠陥を含む場合、ピーク分離が困難であるため、格子欠陥の種類の同定とそれぞれの格子欠陥にトラップされた正確なトレーサー水素量の測定は困難である。本研究では、純鉄中の各種格子欠陥にトラップされた水素の分離を目的として、TDAと低温昇温脱離分析（L-TDS）を用い、水素放出プロファイルを比較した。