陽極酸化援用加工を用いた反応焼結SiC 材の高精度ダメージフリー加工に関する研究－陽極酸化におけるSiCとSiの酸化レートの評価

摘要

陽極酸化援用加工法によるRS-SiCのダメージ·スクラッチフリー修正及び仕上げ加工を実現するためには，RS-SiC中のSiCとSiの酸化レートを等しくする必要がある．そこで，基板表面に光を照射することによって，SiCとSiの酸化レートの差異を軽減することを試みた．その結果，RS-SiC，4H-SiC については酸化レートの向上がみられたが，Si(111)表面は酸化されなかった．また，電解液のpHを高くすることで陽極酸化の酸化レートが向上することを確認した．今後は，照射する光の強度を高くし，ローパスフィルタを用いてSiのみを選択的に励起することによって，SiCとSiの酸化レートの差異の是正を目指す．