CMP用パッドのコンディショニングに関する基礎研究（第三報）－Cu-CMPにおけるコンディショニングの影響調査

摘要

CMP（Chemical Mechanical Polishing）で平坦化する膜は大別して酸化膜および金属膜があり、それぞれ異なったスラリーを用いて異なったメカニズムにて平坦化される。したがってそれぞれの工程に最適なパッド表面状態が存在すると考えられる。ところが研磨する膜種によってコンディショナは特に使い分けられておらず、各工程に対して適切なコンディショニングが確立されていないのが現状と考えている。半導体の高性能化により平坦化する膜の種類やCMP に求められる特性が多様化している現状においてコンディショニングの最適化は非常に重要な課題の一つである。本研究ではコンディショニングで得られたパッド表面状態とCMP プロセス、特にCu 膜の研磨特性との関係を実験的に確認することを目的とした。形状および粒径の異なるダイヤモンド砥粒を用いて異なったパッド表面状態を創り、パッド表面状態とCu 膜の研磨レートを関連付け、Cu-CMP に適したコンディショニング条件について考察した。