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数値制御ローカルウェットエッチング法による高精度光学素子の作製―中性子集光用楕円面ミラーの試作

机译:通过数值控制局部湿法蚀刻试验制造高精度光学元件的制造用于中子冷凝椭圆镜的椭圆镜镜

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摘要

近年, 最先端の基礎科学分野においては, 中性子を利用した種々の計測法が注目されている.X 線は原子番号が大きい原子ほど相互作用が大きいのに対し, 中性子は水素やホウ素等,原子番号の小さい物質とも相互作用をし, さらに同じ元素でも1H は2H の約10 倍の散乱断面積を持つ等, 同位体でも違う性質を持つという特徴がある.この性質を利用して, 中性子ビームを用いた元素分析や, 酵素の解離状態を把握することによる創薬研究, また, たhぱく質の立体構造解析等が現在中性子源施設で行われている.これらの研究はサンプルに中性子を照射し, 中性子回折及び中性子小角散乱実験によって行われるが, 実験を効率的に行うには, 原子炉で発生させた中性子を発散させずに集光し, サンプルに照射させる必要がある.また, サンプルそのものが小さい場合は, 検出されるシグナルも弱くなるため, 中性子ビームの集光光学素子は必要不可欠である.しかし,このような非常に厳しい精度を要求される光学素子を作製する際, 従来の機械加工では,加工速度は大きいものの,塑性変形や脆性破壊を利用する加工原理から考えて,表面層に多大な欠陥が導入されることは避けることができない.また,脆性破壊,塑性変形による表面へのダメージや,母性原理のために中性子集光用ミラーに要求される精度を満足することはきわめて困難である.このような欠陥やダメージを導入せずに加工を行うためには,化学的な方法に頼らざるを得ないが,現在汎用的に用いられているウェットエッチングやドライエッチングでは,加工現象は化学的であるものの,加工の空間的な制御性や加工能率の点においては,機械加工に置き換わるほどの加工特性は得られておらず,また,そのような用途開発も行われていないのが実状である.我々はこれらの現状を打破すべく, 新たな加工法として数値制御ローカルウェットエッチング法(NC-LWE: Numerically Controlled Local Wet Etching)を提案している.この加工法の原理は,加工試料に応じたエッチャントを用いたウェットエッチングであるが,加工ヘッドを二重のパイプ型にし,エッチャントの供給と回収を行うことでマスクを用いることなく局所的なエッチング領域が形成できるという特長を持つ.そして,化学的な加工法であるため,機械加工に見られる塑性変形や脆性破壊を起こすことなく,空間的な制御性の高い加工を行うことが可能である.また,エッチャントの組成や温度を変化させることで,研磨加工と同等の加工能率を有する.さらに非接触な化学的無歪加工法であるため,振動等の外乱に対して鈍感であるので,加工装置の機械的な剛性はそれほど高くする必要がなく,装置コストを低く抑えることができる.また,プラズマ加工やイオンビーム加工の場合には必要不可欠なチャンバーや真空排気系等の高価なインフラが不要であるため,装置導入時のイニシャルコストも極めて安価である.以上の様な特性から, 数値制御ローカルウェットエッチング法は, 高精度光学素子の加工を高精度, 高能率かつ決定論的に行える加工法であるといえる.
机译:近年来,在国家的最先进的基础科学领域,利用中子各种测量方法已引起关注。虽然X射线是在原子数原子序数越大,具有小的原子数,例如氢或硼,甚至相同的元件用的物质的中子相互作用进一步是相同的元素,并且1个小时是一个散射截面的约10倍2小时。有具有不同的性质,例如具有不同性质的特性。利用该性质,使用中子束和通过抓住酶的解离状态的药物发现研究中,和H-pacreite的三维结构分析元素分析在中子源设施目前进行的。这些研究中的中子照射到样品和中子衍射和中子小角散射实验进行,但要进行实验高效,没有发散核反应堆产生的中子会聚,有必要照射它。另外,当样品本身是小的,检测到的信号也变弱,从而使中子束的聚光光学元件是必不可少的。然而,产生需要这种非常严重的准确性,在以往的机械加工的光学元件中,当尽管处理速度是大的,则认为该表面层被极大地使用塑性变形和脆性破坏处理的原理考虑,它无法避免的,没有缺陷引入。此外,这是非常难以满足的反射镜用于中子会聚反射镜所需的准确度由于脆性断裂和塑性变形和产妇的原则。为了处理这样的缺陷或损坏,而不会引入这种缺陷和损伤,处理现象是化学湿法蚀刻和干法蚀刻目前通常使用的,但是,在空间的控制和处理的处理效率方面,加工特性置换加工是不能得到的,这样的应用尚未开发BE。我们提出了一个数控本地湿法蚀刻法(NC-LWE:数控本机湿法刻蚀)作为一种新的处理方法来打破这些现状。该处理方法的原理是根据处理样品使用蚀刻液的湿蚀刻,但加工头是双管式,并且在不通过供应和收集蚀刻剂它具有区域可以形成的特征使用掩模局部刻蚀。并且由于它是一种化学处理方法,因此可以在不引起塑性变形和加工中看到的脆性失败的情况下进行高空间可控性。另外,通过改变蚀刻剂的组合物和温度,它具有与抛光加工相同的加工效率。此外,由于它是非接触化学性的非变形过程,因为对诸如振动的扰动不敏感,因此处理设备的机械刚度不必如此高,并且可以降低设备成本。另外,在等离子体处理和离子束处理的情况下,由于不需要诸如必要的室或真空排气系统的昂贵的基础设施,因此安装时的初始成本也非常低。从上述特征,数值控制本地湿蚀刻法,可以说能够高精度,高效率和高精度的光学元件的确定性处理的处理方法。

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