暗視野エバネッセント照明による回路パターン付きSi ウエハ表面異物欠陥検出法に関する研究（第一報）：FDTD シミュレーションによる理論的検討

摘要

近年,半導体デバイスの高集積化と微細化は年々加速しており,配線パターン基板表面上のナノメートルオーダーの微小付着異物を高信頼度で検出できる手法が強く求められている.しかし,従来の光散乱法では配線パターンと欠陥からの散乱光の区別が困難であることから,次世代半導体デバイスへの適用は難しい.そこで本研究では新たに,付着異物のみを有効に照明し,その散乱光を高感度に検出可能な暗視野エバネッセント照明による欠陥計測手法を提案し,FDTD シミュレーション解析によりこの手法の有効性を検討したので報告する.