次世代パワーデバイスを見据えたパワーエレクトロニクス機器が発生する電磁ノイズ対策の動向 総論

摘要

Si（Silicon）パワーデバイス（主としてMOSFETやIGBT）を用いたパワーエレクトロニクス機器を対象とした電磁ノイズ抑制·対策の手法はこれまでに多くの論文や特許で報告されており，ノイズ規制に準じた抑制·対策が行われるようになってきた。最近では，等価回路モデルに基づいたノイズ解析手法だけでなく電磁界解析を用いてパワーエレクトロニクス機器内部における寄生インダクタンス·キャパシタンスをモデリングした解析手法が検討されてきている。