机译:通过低损伤ICP蚀刻蚀刻的30 nm钨栅极,用于制造化合物半导体晶体管
机译:通过适用于高性能化合物半导体晶体管的低损伤感应耦合等离子体SF6 / C4F8蚀刻制成的纳米级钼栅极
机译:化合物半导体晶体管在低损伤亚100 nm钨栅极反应离子刻蚀过程中的等离子体发射光谱
机译:低能量,高密度等离子体(ICP),适用于化合物半导体上的低缺陷蚀刻和沉积应用
机译:金刚石薄膜在电推进中的应用:低能量溅射产率测量和MPD等离子体辅助化学气相沉积。
机译:吹气涂层:控制沉积技术半导体薄膜中的晶体形态
机译:低温制备GaN-SiO2具有低缺损密度的界面。 I.两步远程等离子体辅助氧化沉积过程