机译:界面缺陷钝化对SiO_2 / 4H-SiC界面导带偏移的影响
机译:N沟道场效应迁移率与SiO2 / 4H-SiC界面的导带边缘处的界面态密度成反比
机译:局部弛豫和高氮组成的GaAs_(1-x)N_x外延层的近带边缘发光和N导带耦合减弱的证据
机译:界面状态在4H-碳化硅中导通带边缘附近的界面钝化
机译:氮气和氢气在二氧化硅/ 4H-碳化硅界面处引起陷阱钝化。
机译:通过HALL偏移电压探测InGazno薄膜的传导带边的能量轮廓
机译:界面状态在4H-碳化硅中导通带边缘附近的界面钝化
机译:4H-碳化硅导电带边缘附近界面态的氮钝化