copper; plasma p; ULSI; etch-stop layer; organic hard-mask; porous organosilica film; Cu dual damascene interconnect; permittivity; etching; masks; organic compounds; dielectric thin films; porous materials; ULSI; integrated circuit interconnections;
机译:有效的铜表面预处理,用于具有高耐等离子体性的超低介电常数(k = 2.2)的高可靠性22 nm节点铜双镶嵌互连
机译:坚固的铜双金属镶嵌与通过低损伤多硬掩模蚀刻技术制造的多孔SiOCH薄膜互连
机译:坚固的铜双金属镶嵌与通过低损伤多硬掩模蚀刻技术制造的多孔SiOCH薄膜互连
机译:带有有机硬掩模和蚀刻停止层的多孔有机硅膜中的铜双大马士革互连,用于70 nm节点的ULSI
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:用于进一步缩小超大型集成器件-Cu互连的等离子增强化学气相沉积SiCH膜的低k覆盖层的材料设计
机译:相邻段对Cu双镶嵌互连可靠性的影响