机译:用于1.3 * um激光器的平面应变InAlGaAs MQW结构生长的禁止温度区域
机译:具有反向台面脊形波导结构的高性能InGaAsP / InP应变层MQW激光器
机译:1.55μmInGaAs / InGaAsP MQW和应变MQW激光器的K因子,差分增益和非线性增益系数对光约束因子的依赖性
机译:激光结构中应变MQW的稳定性
机译:1.55 um铝镓铟砷应变MQW激光二极管。
机译:通过使用新型光子集成方法在键合模板上再生III / V-on-Si MQW激光器
机译:AlGaN / GaN应变超晶格周期对IngaN MQW激光二极管的影响