Speed - accuracy trade-off for measurement and characterization of the matching performance of SiGe:C HBTs, applied to a 200 GHz technology

机译：Sige：C HBTS匹配性能测量和表征的速度 - 精度折衷速度：C HBT，适用于200 GHz技术

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In this paper, the trade-off between time and accuracy for measurement of the matching performance of bipolar transistors has been investigated. After determination of the limits of the hardware setup, the matching behavior of 200 GHz SiGe:C HBTs is characterized over a wide range of dimensions and biasing conditions. The focus is put on measurements in the low and high current region. It reveals the unique bias dependence of bipolar current mismatch in the high current region.

机译：本文研究了对双极晶体管匹配性能的时间和准确性之间的折衷。在确定硬件设置的限制之后，200GHz SiGe的匹配行为：C HBT的特征在于各种尺寸和偏置条件。焦点在低电流区域中进行了测量。它揭示了双极区域在高电流区域中的双极电流失配的独特偏置依赖性。

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来源
《IEEE International Conference on Microelectronic Test Structures》|2005年||共6页
会议地点
作者
Choi L.J.; Venegas R.; Decoutere S.;
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作者单位

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类 TN406-53;
关键词
Ge-Si alloys; semiconductor materials; carbon; semiconductor device measurement; heterojunction bipolar transistors; electric current measurement; millimetre wave bipolar transistors; emitter resistance; speed/accuracy trade-off; HBT characterization; matching performance measurement; HBT dimensions; HBT biasing conditions; low current region; high current region; bipolar current mismatch bias dependence; 200 GHz; SiGe:C;

机译：GE-SI合金;半导体材料;碳;半导体器件测量;异质结双极晶体管;电流测量;毫米波双极晶体管;发射极性;速度/精度折衷;HBT尺寸;HBT尺寸;HBT偏见条件;HBT尺寸;HBT尺寸;HBT尺寸;低电流区域;高电流区域;双极电流不匹配偏置;200 GHz;SIGE：C;

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