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刘伦才; 王若虚; 张正璠; 李儒章;
中国电子科技集团公司第二十四研究所;
模拟集成电路国家重点实验室;
SiGe; 异质结晶体管; 双极晶体管; 发射区; 基区; 集电区;
机译:发射极-基极结设计对Si / SiGe HBT的集电极饱和电流,理想因子,早期电压和器件开关速度的影响
机译:Ge轮廓的设计和优化,以提高SiGe HBT的热稳定性
机译:用于高速SiGe HBT的超结集电极的设计和优化
机译:专为半太赫兹速度设计的SiGe HBT中的集电极-基极传输研究
机译:SOI设备低功耗,高频横向SiGE HBT的优化TCAD模拟
机译:缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
机译:X波段频率下高功率siGe HBT放大器的材料和器件优化
机译:带隙和重组工程发射极层,用于SiGe HBT性能优化
机译:针对SiGe HBT优化了阻挡杂质放置
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