Chemisch inerte und atomar glatte Silizium-Oberfl?chen sind Voraussetzung für die Verwendung von Silizium als Substratmaterial für die Niedertemperatur-Heteroepitaxie und für die Herstellung hochwertiger Silizium-Siliziumoxid-Grenzfl?chen (Anwendung: MOS-Bauteile). Die Pr?paration entsprechender Oberfl?chen erfolgt in der Regel derart, da? die Waferoberfl?che zun?chst von Kontaminationen und Partikeln gereinigt wird (z.B. durch sog. RCA-cleaning). Durch Eintauchen in fluoridhaltige L?sungen (sog. HF-dip) wird Siliziumoxid entfernt und die Oberfl?che mit Wasserstoff passiviert. Ersetzt man den letztgenannten na?chemischen Schritt durch eine elektrochemische Behandlung, so gewinnt man zus?tzliche Parameter wie Potential, Stromflu? und Belichtung, mit denen eine umfassendere kontrollierte Beeinflussung der Oberfl?chenbeschaffenheit (Passivierung, Morphologie) m?glich wird.
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