Von grundlegenden elektrochemischen Prozessen an Si-Elektroden zu optimierten Si-Oberflächen

摘要

Chemisch inerte und atomar glatte Silizium-Oberflächen sind Voraussetzung für die Verwendung von Silizium als Substratmaterial für die Niedertemperatur-Heteroepitaxie und für die Herstellung hochwertiger Silizium-Siliziumoxid-Grenzflächen (Anwendung: MOS-Bauteile). Die Präparation entsprechender Oberflächen erfolgt in der Regel derart, daß die Waferoberfläche zunächst von Kontaminationen und Partikeln gereinigt wird (z.B. durch sog. RCA-cleaning). Durch Eintauchen in fluoridhaltige Lösungen (sog. HF-dip) wird Siliziumoxid entfernt und die Oberfläche mit Wasserstoff passiviert. Ersetzt man den letztgenannten naßchemischen Schritt durch eine elektrochemische Behandlung, so gewinnt man zusätzliche Parameter wie Potential, Stromfluß und Belichtung, mit denen eine umfassendere kontrollierte Beeinflussung der Oberflächenbeschaffenheit (Passivierung, Morphologie) möglich wird.