High hole mobility transistor (HHMT) with dual Si/Ge/sub 0.4/Si/sub 0.6/Si wells structure grown by Si MBE

机译：具有双Si / GE / SUB 0.4 / SI / SUB 0.4 / SI / SUB 0.6 / SI孔结构的高空穴迁移率晶体管（HHMT）

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In this work, a novel dual-well structure GeSi-channel p-MESFET grown by silicon molecular-beam epitaxy has been proposed. Based on Hall measurements, a hole mobility of as high as 2680

机译：在这项工作中，已经提出了一种由硅分子束外延生长的新型双阱结构Gesi沟道P-MESFET。基于霍尔测量，一个高达2680的孔移动性

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来源
《International Electron Devices and Materials Symposium》|1994年||共4页
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作者
Wang S.J.; Wu S.L.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
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正文语种
中图分类自动化技术、计算机技术;
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