首页> 外文会议>Topical meeting digest on integrated optoelectronics >Long Wavelength Metal-semiconductor-metal Photodiodes With Transparent Cadmium Tin Oxide Schottky Contacts

【24h】

Long Wavelength Metal-semiconductor-metal Photodiodes With Transparent Cadmium Tin Oxide Schottky Contacts

机译：长波长金属半导体 - 金属光电二极管，具有透明镉氧化锡肖蒂肖尼触点

获取原文

页面导航

摘要
著录项
引文网络
相似文献
相关主题

摘要

No abstract

机译：没有摘要

著录项

来源
《Topical meeting digest on integrated optoelectronics》|1994年||共2页
会议地点
作者
Wei Gao; Khan A.; Institute of Electric and Electronic Engineer;
展开▼
作者单位

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种
中图分类波导光学与集成光学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. InGaAsN Metal-Semiconductor-Metal Photodetectors with Transparent Indium Tin Oxide Schottky Contacts [J] . Yan-Kuin Su, Wei-Cheng Chen, Ricky W. Chuang, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2007,第4B期

机译：具有透明氧化铟锡肖特基触点的InGaAsN金属半导体金属光电探测器
2. Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodiodes based on reduced graphene oxide/GaN Schottky contacts [J] . Bhishma Pandit, Jaehee Cho Thin Solid Films . 2018,第AUGa30期

机译：基于还原氧化石墨烯/ GaN肖特基接触的金属-半导体-金属紫外光电二极管
3. Transparent Schottky Photodiode Based on AgNi NWs/SrTiO_3 Contact with an Ultrafast Photoresponse to Short-Wavelength Blue Light and UV-Shielding Effect [J] . Yang Wei, Zhang Yong, Zhang Yujia, Advanced Functional Materials . 2019,第46期

机译：基于AgNi NWs / SrTiO_3接触的透明肖特基光电二极管，具有对短波长蓝光和紫外线屏蔽效应的超快光响应
4. Long Wavelength Metal-semiconductor-metal Photodiodes With Transparent Cadmium Tin Oxide Schottky Contacts [C] . Wei Gao, Khan, A. . 1994

机译：具有透明氧化镉锡肖特基触头的长波长金属半导体金属光电二极管
5. Ternary spinel cadmium stannate, cadmium indate, and zinc stannate and binary tin oxide and indium oxide transparent conducting oxides as front contact materials for cadmium sulfide/cadmium tellurium photovoltaic devices. [D] . Mamazza, Robert, Jr. 2003

机译：三元尖晶石锡酸镉，铟镉和锡酸锌以及二元氧化锡和氧化铟透明导电氧化物作为硫化镉/碲化镉光伏器件的前接触材料。
6. Asymmetric Schottky Contacts in van der Waals Metal-Semiconductor-Metal Structures Based on Two-Dimensional Janus Materials [O] . Jia Liu, Ji-Chang Ren, Tao Shen, 2020

机译：van der WALS金属半导体 - 金属结构的不对称肖特基触点基于二维Janus材料
7. Response to "comment on Influence of indium tin oxide thin-film quality on reverse leakage current of indium tin oxide/ n-GaN Schottky contacts Appl. Phys. Lett. 90, 046101 (2007)" [O] . Wang RX, Beling CD, Cheung CK, 2007

机译：响应“关于氧化铟锡薄膜质量对氧化铟锡/ n-GaN肖特基接触的反向漏电流的影响的评论appl.phys.Lett.90,046101（2007）”
8. Transparent Conducting Contacts Based on Zinc Oxide Substitutionally Doped with Gallium: Preprint [R] . Gorrie, C. W., Reese, M., Perkins, J. D., 2008

机译：基于氧化镓替代掺杂镓的透明导电触点：预印刷

获取原文

客服邮箱：kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备：11010802029741号 ICP备案号：京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有

客服微信
服务号