机译:通过MOCVD和相关技术沉积III / VI硫属化物半导体的单源分子前体
机译:MOCVD形成GaN的有机金属前体:(CH_3)_3GaNH(CH_3)_2的气相电子衍射和从头算分子轨道计算的结构表征
机译:(NH4)2ST处理的III-V半导体材料的后金属化退火MOCVD-TiO2的理解
机译:III-V半导体低温MOCVD的有机金属分子前驱体
机译:二元和三元III-V半导体的金属有机化学气相沉积(MOCVD)的过程模型。
机译:化合物半导体纳米晶成核前从前体到单体的一般低温反应路径
机译:致理性退火的MOCVD-TiO2ON(NH4)2用于III-V半导体
机译:低温生长的III-V半导体