机译:Ga晶体通过Ge纳米晶种在隧道氧化物上外延横向过度生长而异质集成在标称(001)Si上的GaAs晶体的形貌
机译:集成在Si上的横向InAs / Si p型隧道FET(第1部分:实验设备)
机译:集成在Si上的横向InAs / Si p型隧道FET-第2部分:界面陷阱影响的仿真研究
机译:集成式横向隧道单元
机译:二维横向隧道结的隧道光谱
机译:使用运输技术重建前交叉韧带的风险和后果:股骨隧道外侧上GE动脉和股骨的侧突之间的关系
机译:si上集成的横向Inas / si p型隧道FET - 第2部分:界面陷阱影响的仿真研究