机译:集成在Si上的横向InAs / Si p型隧道FET-第2部分:界面陷阱影响的仿真研究
机译:集成在Si上的横向InAs / Si p型隧道FET(第1部分:实验设备)
机译:InAs纳米线隧道FET和MOSFET中的界面陷阱-第一部分:隧道FET中的模型描述和单陷阱分析
机译:异质结和氧化物界面陷阱对InAs / Si和InAs / GaAsSb纳米线隧道FET性能的影响
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:建立综合食品安全监测系统:一项模拟研究以探索结合基因组学和流行病学元数据的潜力
机译:si上集成的横向Inas / si p型隧道FET - 第1部分:实验装置