机译:0.25微米假晶HEMT采用无损伤的干蚀刻栅凹槽技术处理
机译:在基于HBr / O2的高密度等离子体的多晶硅/氧化物蚀刻中,HBr和氧对蚀刻选择性和蚀刻后轮廓的作用的研究
机译:用于硅蚀刻工艺的SF _6 / O _2等离子体的电子密度和光发射测量
机译:高密度STT-MRAM的蚀刻工艺技术。
机译:等离子体密度控制,用于重新激活工业微电子中的离子刻蚀变化。
机译:CHO分批培养中的前期灌注和超高接种细胞密度:以系统生物技术为指导的过程强化案例研究
机译:(受邀)针对垂直和无损伤的蚀刻后InGaas鳍片轮廓:干蚀刻处理,侧壁损伤评估和缓解选项
机译:采用简单化学蚀刻工艺制造的具有低阈值电流密度的大直径InGaas / alGaas垂直腔面发射激光器