Time-dependent dielectric breakdown; E model; High-k dielectrics; Equivalent thickness;
机译:用kMC TDDB模拟研究TiN覆盖层对超薄EOT高k金属栅极NMOSFET随时间变化的介电击穿特性的影响
机译:高场预应力脉冲后高K / IL门叠TDDB分布的纳米级表征
机译:N2-RTA处理的Hf基高K栅极电介质的电学特性和TDDB击穿机理
机译:高钾材料中TDDB效应的研究
机译:全面的电容电压分析,包括锗和其他替代沟道材料上高k界面的量子效应。
机译:喷雾热解技术;高介电常数薄膜和发光材料的评论
机译:非晶态氧化镧L薄膜替代高k材料:高k栅极电介质的物理和技术5