AFMを利用したSiCウエハ表面の極微小除去加工: 加工痕のSEM、TEM、MEM、SXRT観察による潜傷発生限界の調查

摘要

SiC半導体基板の加工においては極微小の傷や潜傷など、表面及び表面近傍にわずかに残留する加工ダメージが、その後のエピ工程やデバイス工程に悪影響を及ぼすことが知られている。そこで、我々はダメージが発生する限界荷重を調査する目的で、AFM(原子間力顕微鏡)装置を利用して50～3000μNの極微小な力をダイヤモンド刃先に作用させて基板表面を引搔き、加工痕を種々の顕微鏡やダメージ評価装置で観察した。